功能描述：MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB

制造商：nexperia usa inc.

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：270mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：1nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：23.6pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：310mW（Ta）, 1.67W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.8 欧姆 @ 200mA，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-236AB（SOT23）

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

标准包装：1

NX7002BKS

NX7002BKXBZ

NX7101IDMTR

NX7101IDM-TR

NX7102IDETR

NX8045GB

NX8045GB20.480MHZ

NX8045GB-20.480MHZ

NX8045GB-20.48MHZ

NX8045GB24.576MHZ